IPDQ60R010S7前往购买
IPDQ60R010S7中文规格_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 57 2023-12-07 14:43:48
600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列专为低导通损耗优化，具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 RDS(on)。该系列产品提供前所未有的 RDS(on) 与价格，品质因数出色，尤为适用于固态断路器与继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。
IPDQ60R010S7的特性
- 低 RDS(on)
- 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
- 针对导通性能进行优化
- 热阻改善
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能
IPDQ60R010S7优势
- 低导通损耗
- 提高效能
- 更为紧凑与简便的设计
- 摒弃或减少固态设计中的散热器
- 总体拥有成本 (TCO) 或 BOM 成本降低
IPDQ60R010S7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 50 A |
| IDpuls | 801 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 694 W |
| 包 | QDPAK TSC (HDSOP) |
| 销数 | 22 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 318 nC |
| 路上 | 318 nC |
| RDS (on) (@10V) | 10 mΩ |
| RDS(上) | 10 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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