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STL8N10F7中文规格_产品特性_原装销售
IC先生 网络 112 2023-12-15 15:34:11
概述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STL8N10F7符号图
STL8N10F7功能参数
- 处于市面上最低的RDS(on) 行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
STL8N10F7引脚图
STL8N10F7 3D图
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芯片
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