STH200N10WF7-2前往购买
STH200N10WF7-2产品参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 119 2023-12-15 10:39:39
概述
该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术（采用增强型沟槽栅结构），增强了线性模式耐受能力，并提供更宽的SOA和非常低的导通电阻。由此而来的MOSFET实现了线性模式和开关操作之间的最佳平衡。
STH200N10WF7-2符号图
STH200N10WF7-2功能参数
- 最优SOA性能
- 高电流浪涌能力
- 极低的导通电阻
STH200N10WF7-2引脚图
STH200N10WF7-2 3D图
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芯片
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