STH160N4LF6-2前往购买
STH160N4LF6-2规格参数_产品符号_现货专卖
IC先生 网络 85 2023-12-15 17:21:48
概述
该器件是一个n沟道功率MOSFET，使用6
th
新一代STripFET™DeepGATE™技术，具有全新的栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STH160N4LF6-2符号图
STH160N4LF6-2功能参数
- RDS(on)* qg行业基准
- 极低导通电阻RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 高雪崩坚固性
- 100%雪崩测试
STH160N4LF6-2引脚图
STH160N4LF6-2 3D图
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芯片
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