STP160N4LF6前往购买
STP160N4LF6产品参数_功能特性_原装现货
IC先生 网络 96 2023-12-15 16:49:56
概述
该器件是一个n沟道功率MOSFET，使用6
th
新一代STripFET™DeepGATE™技术，具有全新的栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STP160N4LF6符号图
STP160N4LF6功能参数
- RDS(on)* qg行业基准
- 极低导通电阻RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 高雪崩坚固性
- 100%雪崩测试
STP160N4LF6引脚图
STP160N4LF6 3D图
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芯片
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