STH320N4F6-6产品规格_产品特点_现货出售
IC先生 网络 39 2023-12-15 12:55:16
概述
这些器件是采用strifet™F6技术开发的n沟道功率mosfet,具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STH320N4F6-6符号图
STH320N4F6-6功能参数
- AEC-Q101合格
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STH320N4F6-6引脚图
STH320N4F6-6 3D图
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芯片
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