IPTG210N25NM3FD前往购买
IPTG210N25NM3FD产品规格_产品特性_原装销售
IC先生 网络 15 2023-12-08 09:10:30
OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG210N25NM3FD 采用改良的翼型引脚 TO-Leadless 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7 引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™ 3 - 250 V 的新型封装具有非常低的 RDS(on) ，而且经过优化，可处理大于 300 A 的高电流。
得益于翼型引脚的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在铝基板上表现出了优异的焊点可靠性。因此，与标准要求 (IPC-9701) 相比，板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
IPTG210N25NM3FD的特性
- 最佳的技术
- 高额定电流>300 A
- 低振铃和电压过冲
- 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60％
- 翼型引脚
IPTG210N25NM3FD优势
- 高性能能力
- 系统可靠性高
- 高效率和低电磁干扰
- 优化电路板利用率
- 板上温度循环性能高
IPTG210N25NM3FD规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 144-200 V |
| 预算价格€/ 1000 | 3.7 |
| ID(@25°C) | 77 A |
| IDpuls | 308 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 375 W |
| 包 | TOLG (HSOG-8) |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 65 nC |
| RDS (on) (@10V) | 21 mΩ |
| VDS公司 | 250 V |
| vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
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