首页 > 新闻资讯 > 新闻详情

IRFI4019H-117P中文参数_产品特点_现货专卖

IC先生 网络 15 2023-12-08 09:39:10

StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(上)和大电流能力进行了优化该器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机,电池管理系统,逆变器和直流-直流转换器。


IRFI4019H-117P


IRFI4019H-117P的特性

  • 通过无铅认证
  • 低RDS(上)
  • 双n沟道MOSFET
  • 集成半桥封装
  • 低Qrr
  • 低Qg和Qsw
  • 孤立的包

  • IRFI4019H-117P优势

  • 环境友好型
  • 高功率密度
  • 综合设计
  • 董事会的储蓄
  • 低EMI
  • 使THD更好,效率更高
  • 不需要绝缘硬件

  • IRFI4019H-117P规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10001.08
    ID(@25°C) 8.7 A
    工作温度 -55 °C   150 °C
    ptt (@ TA=25°C) 18 W
    TO-220 FullPAK
    极性N+N
    QG(类型@10V)13 nC
    Qgd (typ)3.9 nC
    RDS (on) (@10V) 95 mΩ
    RthJA 65 K/W
    Tj 150 °C
    VDS公司 150 V
    vg (th) 3.95 V   3 V   4.9 V
    vg 20 V
    推荐商品
    RC0603FR-07820RL
    库存:0
    ¥ 0.00518
    CL05C150JB5NNNC
    库存:0
    ¥ 0.0141
    GRM155R71H222KA01D
    库存:0
    ¥ 0.00715
    CL10B105KA8NNNC
    库存:0
    ¥ 0.0146
    C1608X7R1A105KT000E
    库存:0
    ¥ 0.14855
    版权声明: 部分文章信息来源于网络以及网友投稿,本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑,是出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性,如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
    标题:

    IRFI4019H-117P中文参数_产品特点_现货专卖


    网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/22545
    文章标签: 芯片
    0 购物车
    0 消息